Pg官方电子科技——国产嵌入式CPU核心技术提供商

功率需求正在超越传统系统架构的承载能力

功率需求持续增长

• AI、汽车和工业市场正在推动“更小空间内实现更高功率”的需求 

• 设计人员需要提升能效，同时兼顾散热、体积与成本 

• 功率密度正成为新一代系统的关键制约因素

传统架构存在权衡取舍难题

• 电气、机械和热管理系统往往各自独立优化 

• 单一维度的性能提升，往往会造成其他方面性能折损 

• 分阶段的开发模式增加设计复杂度，还可能引发代价高昂的后期设计变更

安森美推出嵌入式电源平台

硅基嵌入式封装 异质裸片嵌入硅基底，通过晶圆级重布线层实现互连

设计阶段协同开发 从设计初期就统筹考量电气、机械与热学性能

封装赋能性能 让封装不再是被动外壳，而是系统性能的主动增益单元

具备卓越扩展性 不受特定技术限制的平台架构，支持不同应用场景，不同半导体材料，并可扩展至多个功率等级

EPP 将半导体工艺精度应用于系统集成

从封装装配到晶圆级工艺

EPP 将关键集成工序从机械组装结构迁移至可控的半导体制造环境

晶圆级金属化

通过精密图形化的再布线层（pg官方入口RDL）直接连接嵌入式功率裸片，取代传统的引线键合（Wire-bond）互连方式，从而降低寄生电感，提升开关控制性能

异构裸片集成

功率晶体管、栅极驱动器、控制器及其他半导体功能单元可按需灵活组合，实现嵌入式集成与互联

一体化架构

嵌入式裸片、金属化结构与高压隔离集成在统一的硅基平台

通过电气、散热与机械协同优化实现更高功率密度

散热性能

采用硅基架构与全接触面导热设计，显著提升散热性，支持更高功率的持续输出。

嵌入式隔离

集成式高压隔离设计，降低对低效导热绝缘材料的依赖，打造更紧凑、更高集成度的电源架构。

电气性能

晶圆级再布线层（RDL）配合更短、更可控的电气通路，降低寄生电感，实现更精准的器件控制与更高的开关频率。

快速开发

通过数字孪生仿真与多物理场协同优化，实现快速设计迭代，减少硬件试制次数，缩短开发周期，加速产品上市。

充分发挥每一代功率技术的潜力

充分发挥现有技术潜能

EPP 对电气、散热和机械性能进行协同优化，充分释放现有功率半导体技术的性能上限

实现更高功率密度的全新路径

通过系统级协同优化，无需单纯依赖器件迭代即可实现更高功率密度

不受特定技术限制的设计

统一的架构可同时兼容当前及未来各代硅（Si）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）以及新兴半导体技术

依托安森美核心技术优势

晶圆级集成将半导体制造精度引入电源系统设计，把更多技术增值带入晶圆工艺端

赋能新一代电源系统

一套架构，多行业覆盖，同一个创新平台

车辆电动化

更智能、更轻量化的整车架构

• 更低电感实现更快的开关频率

• 提升散热性能

• 牵引逆变器系统体积更小、重量更轻、效率更高

• 架构可扩展，适配多车型、多功率等级

AI 供电基础设施

在更小空间内承载更强算力

• 更高功率密度，释放宝贵板卡与机架空间

• 全接触面导热实现高效散热设计

• 优异的散热性能满足日益增长的能耗需求

• 实现紧凑型、高集成的供电架构

AI 与电动汽车之外的应用

创新平台

• 快充基础设施

• 储能系统

• 电网现代化升级

• 工业自动化

• 未来的半导体技术